BTA-H_2O_2溶液中Cu, Co表面の保護膜形成に関する考察

摘要

LSI製造工程におけるCuの化学機械研磨（CMP）では，防食剤によりCu表面を保護しつつ酸化·錯化させて砥粒で研磨する．スラリー中には，例えば，防食剤としてべンゾトリアゾール（C_6H_5N_3, BTA），酸化剤としてH_2O_2が添加されている．高度なCu CMPを実現するためには，CMPスラリー中での保護層と酸化層の形成競合関係を理解することが重要である．すでに著者らは分光エリプソメトリを用いて，BTAとH_2O_2の混合水溶液中に浸漬（dip）したCu表面をその場測定し，保護層と酸化層の初期形成過程を調べた．本稿ではマイクロ流通セルを用いて溶液の輸送過程を制御し，反応初期過程を調べることに成功したので報告する．また，最近ローカル配線として採用が進んでいるCoについても調べたので併せて報告する．