原子層堆積法で成膜したAl_2O_3膜界面に及ぼす酸化種の影響

摘要

Al_2O_3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM（Metal-Insulator-Metal）キャパシタへの応用が期待される高誘電率材料の1つである．先行研究より，低温（75℃）下におけるTMA（Trimethylaluminum）とH_2Oを用いた原子層堆積法（ALD法）で下地材料を酸化することなくAl_2O_3膜を成膜可能であることが確認された．また，酸化力が低い故に生じる固定電荷を減少させるために，PDP（Post Deposition Process）が有効であることが明らかにされている．本研究では，異なる酸化種によるPDPを行った際のAl_2O_3膜界面を電気的特性及びRBS（Rutherford Backscattering Spectroscopy），HAXPES（Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy）測定により評価した．