二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価

摘要

二重量子ドット単電子トランジスタ（DQD SET）は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット（QD）間の結合の制御が重要である。我々は、複数ゲートを持つSiのDQD SETを作製し、QD中の電子数の変化によって2つのQD間のカップリング容量を変えることができることを見出した。電子数変化によって実効的な量子ドットの大きさが変化し、QD間の結合が変化したものと考えられる。