270nm帯深紫外LEDの大面積形成

摘要

AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い，2インチ×3枚サイズのサセブタを用いた大面積形成技術を開発した．アンモニアパルス多段成長法を導入することで，サファイア基板上AlNテンプレートの結晶性を向上させるとともに，2インチ×3枚の範囲内で結晶性を均一化することに成功した．その結果，このAlNテンプレート上に波長270nm帯の深紫外LEDを作製し，光出力の測定から，外部量子効率（EQE）を算出したところ，2-3％を示す波長270nm帯LEDチップが，2インチウエハ面内の約50％の範囲から得られた．