シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ

摘要

埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造（メンブレン構造）を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光の閉じ込めにより低バイアス電流で高速な直接変調の実現が期待される。このため、データコムやコンピュータコムのような直接変調レーザに低消費エネルギー動作が求められる用途に適している。このような背景から、我々はデータコムに向けてシリコン熱酸化膜上の短共振器DFBレーザの検討を行っている。将来的にシリコン基板を用いた大口径プロセスを適用するため直接接合を用いてIII-V族活性層薄膜を熱酸化膜付シリコン基板に接合した後にInP層による埋め込みを行った。作製したDFBレーザはしきい値電流1.8mA で室温連続発振することを確認した。また、直接変調動作においては、バイアス電流8mAで25.8-Gbit／S NRZ 信号の明瞭なアイ開口を確認した。