SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について

摘要

本稿の目的は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ（SiC-BGSIT）のドレイン-ゲート間相互作用による誤動作の発生条件を実験的に調べ、その結果からSiC-BGSITのSPICE素子モデルを構築することである。ドレイン-ゲート間相互作用の実験では、実験が容易で素子破壊の起こりにくい並列構成を用いている。回路シミュレーションによりドレイン-ゲート間相互作用の定量的な解析を行うため、SPICE素子モデルの構築を試みた。SPICE3にはSITの素子モデルが存在しないため、特性の近いJFETモデルで代用した結果、実験と一致しない場合も見られた。