水素プラズマ照射されたn型窒化ガリウムの電気特性評価

摘要

プラズマ照射によるかGaNの電気特性への影響を評価した．水素プラズマ照射されたSidopedn－GaNにおいて，低電圧付近での順?逆方向リーク電流の減少およびn－GaN中のドナー密度の減少が確認された?比較のため行ったアルゴンプラズマ照射においては，プラズマダメージによるダイオード特性の悪化やn－GaN中のドナ岬密度が減少することが確認された．これらの結果から，GaN表面においては表面欠陥が水素により不活性化され，結晶内部においては水素ではなくプラズマ誘起欠陥がドナ｝不活性化に関与していると考えられる?しかしながら，窒素プラズマ雰囲気においては同様の影響はほとんど確認されないことから，ドナー不活性化が窒素抜けに起因した真性点欠陥に関係していると考えられる．