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EUVリソグラフィー技術開発の現状

机译:EUV光刻技术发展现状

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摘要

EUVリソグラフィー(EUVL)は,波長13nmの極端紫外光(EUV光)を用いるリソグラフィー技術である.その短波長性によって高解像度化が可能であり,50nm世代以降の量産技術として期待されている.その開発には,高出力EUV光源,高精度多層膜非球面ミラーの製作と計測,高精度露光光学系の製作,低欠陥多層膜マスクの形成,超薄膜レジストプロセス技術など多くの技術課題の克服が必要である.EUVLの開発は,「世界の各拠点でプロジェクト的に進められ,この数年間に大きく進歩した.その結果,EUVLは50nm以降のリソグラフィー技術の本命と見られている.本論文では,ASETで行われている技術開発を中心に,EUVリソグラフィー技術の現状を紹介する.
机译:EUV 光刻 (EUVL) 它是一种使用波长为 13 nm 的极紫外光(EUV 光)的光刻技术。 其波长短,分辨率高,有望成为50nm及以后的量产技术。 为了开发它,需要克服许多技术问题,例如大功率EUV光源,高精度多层非球面镜的生产和测量,高精度曝光光学系统的制造,低缺陷多层掩模的形成以及超薄膜光刻胶工艺技术。 因此,EUVL 被认为是 50 nm 之后最受欢迎的光刻技术。

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