低速陽電子ビーム用をたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価

摘要

陽電子消滅を用いて，ALD法により作成したHfSiO_x薄膜へのプラズマ窒素化の効果を評価した．陽　 電子はHfSiO_x薄膜のアモルファス構造に由来した空隙から消滅することがわかった，プラズマ窒化後，空孔サ　イズは減少するが，窒化後の焼鈍（1050℃，5s）により空隙サイズは増大する．この現象は，プラズマ窒化直　 後では窒素は空陳へ捕獲され，陽電子で観測される空隙は見かけ上小さくなるが，焼鈍後，窒素が空隙の外へ　 拡散することにより，空孔サイズが大きくなると解釈することができる．