p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減

摘要

電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液／SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生成された酸化物が電解液に溶解することでエッチングが進行する。転位の影響で局所的に電流密度が大きくなると、その部分にピットが形成されてしまう。電流による酸化物の生成速度が電解液による酸化物の除去速度に近い場合、酸化物が表面に残留（部分的に被覆）するようなエッチングモードとなる。このようなエッチングモードを利用すると、電流の局所的な集中を抑えることができエッチピットの形成を抑制することができる。