ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能

摘要

本論文では，ナノCMOS技術を用いた．擬似スピンMOSFETの性能評価と設計法の確立を行った．また，ベンダーMOSFETと我々が開発したスピン注入磁化反転MTJをハイブリッド集積化することによって擬似スピンMOSFETを作製し，擬似スピンMOSFETの動作検証·機能実証を行った．さらに，擬似スピンMOSFETを応用した不揮発性SRAMおよび不揮発性ディレイフリップフロップを検討し，これらを用いた不揮発性パワーゲーティングのアーキテクチャを開発した．