SiCパワーデバイスの開発状況と課題

摘要

SiCの材料.半導体物性について概説し、SiCパワーデバイスへの期待を述べた。 プロセス技術の開発状況として、ウェハ?エピタキシャル成長?イオン注入／アニール?酸化絶縁膜に関して解説し、技術課腰?事業化課題を考察した。