40nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM

摘要

自動車制御用40nmフラらシュ混載プロセスを用いて、-40℃～170℃という広範囲で動作可能な160kb のSRAMマクロを開発した。我々は125℃以上という高温で動作マージンを確保しリーク電力を削減するために6T SRAMビットセルのMOSをプロセス的に最適化した。ビットセルの最適化によりスタティックノイズマージンは40mV改善し、リーク電力は1／10に削減された。また、高品質を保つため、スリープモードから復帰する際に発生するラッシュカレントを抑制する回路を提案する。開発したテストチップでは170℃でV_(min)0.65Vを測定、リーク電力は1.86μW／Mb（25℃）、643μW／Mb（170℃）を測定した。