非真空プロセスによる銅ハライド透明薄膜の作製

摘要

非真空プロセスであるゾルゲル法により，バンドギャップ可変透明p型半導体として，CuBr_(1-x)I_x薄膜の作製を行った．CuBr_(1-x)I_xは，CuBrとホールの良導体であるCuIとの混晶である．組成比の変化に伴い，作製したCuBr_(1-x)I_x薄膜の格子定数ならびに励起子エネルギーが変化していることを確認した．これにより，非真空プロセスにおいて，任意の組成比でのCuBr_(1-x)I_x薄膜の作製，組成比によるバンドギャップの制御が可能であることが分かった．