LSI断線箇所診断手法

摘要

近年の微細化や高集積化に伴い、LSIの断線不良箇所特定を目的に、LSIに変動電界を印加してオープンゲートを括性化し、発生する電源電流変動を検出することで断線不良箇所を特定する不良解析技術の研究·開発を行っている。 本報告では探査原理に基づく試行システムを作成し、断線ⅧG用いた試行評価を行った。その結果、TEGの最上層配線（M3）、表層第2層配線（M2）、及び最下層配線（Ml）の全てにおいて電源電流変動分布を確認出来、本診断手法の技術的有効性を確認する事が出来た。 また電界印加距離の低減により、本診断手法における座標分解能の向上性について確認出来た。