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机译:トライゲートナノワイヤMOSFETの短チャネル移動度解析とStress Memorization Technique(SMT)による性能向上
齋藤真澄; 中林幸雄; 太田健介内田建沼田敏典;
㈱東芝研究開発センター;
東京工業大学;
ナノワイヤ; トライゲート; 短チャネル; 移動度; 寄生抵抗; オン電流; 歪み; SMT;
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