カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発

摘要

トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（CNT-FET）を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。単層カーボンナノチューブチャネル付近に存在する水分子を取り除いた後、SiN_x、SiO_2の絶縁保護膜を蒸着することによって、デバイスのヒステリシス特性を制御した。作製したCNT-FETメモリデバイスは、チャネルへの電界の集中により比較的低電圧で書き込み／消去ができ、良好な保持時間特性を示した。さらに、単正孔の絶縁層への注入、除去の現象を観察することができた。