ディジタル ICのEMCモデル(LECCS－I/O) の多ビット出力ICへの拡張

摘要

筆者らが提案したディジタルICのEMCモデル(LECCS)について議論する. これまでに,CMOS－IC/LSI の電源系高周波電流を表すモデルを負荷依存性を有するI/O部を含むモデル(LECCS－I/O)に拡張してきた.今回は,このモデルの精度及び多ビット動作時への拡張について検討した.まず,I/O部のドライバ負荷依存モデルの適用範囲を,多ビットの同時High－Low間遷移動作から一般的なバス動作であるHigh－Low混在動作へと拡張し,その有効性について検討した.次に,インピーダンスモデルの精度向上案として,ICチップ部のインピーダンスパラメータの切り出しについての検討を行った.この結果,チップ部のインピーダンスを考慮することにより,電源－グランド間インピーダンスの外部負荷容量依存性のシミュレーション精度が向上した.