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QDIモデルに基づく非同期式VLSIの低電圧特性の評価

机译:QDIモデルに基づく非同期式VLSIの低電圧特性の評価

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摘要

回路全体に一定周期をもつ同一のクロック信号を分配する必要がある同期式回路に対して,非同期式回路で素子ごとにタイミング信号を用意することで,必要な箇所が必要な時にのみ独立して動作する.これによって省電力化や,高信頼化が実現出来る.本研究では低電圧環境下での非同期式回路の優位性を,加算回路を例にとり28nmプロセス技術を用いて設計および比較し,波形の測定とshmooプロットを通じて定量的に評価する.

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