外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーべック係数変化

摘要

シリコンをナノ構造化することにより熱電変換性能を向上するためのひとつのポイントは，フェルミエネルギーを制御してゼーべック係数を大きくすることである．そのため，極薄SOI層に外部電圧を印加したときのゼーべック係数の変化を実験と理論計算の両面から調べた．その結果，外部電圧によるSOIのゼーべック係数は，BOX 層との界面近傍のキャリア密度，すなわちフェルミエネルギーを介して制御でき，その値にはフォノンドラッグの効果も寄与することが示された．