半導体量子井戸マイクロリングレーザの隣接発振波長を用いた全光フリップフロップとインバータ動作

摘要

活性層にInGaAs／InGaAsP多重量子井戸（層厚240nm）を用いたマイクロリングレーザにおいて，異なる2つの隣接発振波長間（FSR＝1.7mn）での全光フリップフロップとインバータ動作を確認した．リングに注入する電流を変化させると二つの動作が切り替わった．また，インバータ動作の注入光強度とDetuning量依存性を明らかにした．