InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定

摘要

数Gbps光通信用アバランシェフォトダイオードの過剰雑音とイオン化率比を測定した。これらの値を高い精度で測定するために差動増幅器を用い、さらに増倍率が1となる光電流を正確に求めた。これによって低い増倍領域も含めての過剰雑音の測定が可能となった。過剰雑音は光入射強度の影響を受け、高入力光時には減少する傾向が見られた。また増倍層厚が0.7μmでイオン化率比k＝0.17(M＝10)、0.2μmでイオン化率比k＝0.18(M＝10)が得られた。