透明酸化物半導体IGZO自己整合縦形トランジスタ

摘要

透明酸化物半導体Indium-Gallium-Zinc-Oxide（IGZO）を用いた自己整合縦形トランジスタを試作·評価した。ソース、絶縁膜、ドレイン構造を積層後、リアクティブイオンエッチング（RIE）を行い、半導体、絶縁膜、ゲート堆積後、縦構造の側面のみを残す二度目のRIE加工で自己整合化する。今回、アニール処理条件や電極構造など、試作デバイスの基礎的な特性最適化を行い、チャネル長1μmのトランジスタで、移動度0.19 cm~2/Vs、しきい電圧1.8V、オンオフ比2.11×10~6の特性を得た。