GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価

摘要

本研究ではGaN基板上GaNホモエピ層をマイクロ波光導電減衰（μ-PCD）法により評価を行った。時間分解フォトルミネッセンス法とμ-PCD法の結果を比較すると、両者の減衰で観測された遅い成分の時定数はいずれもμsオーダーとなった。温度依存性と励起強度依存性を考慮すると、μ-PCD信号の遅い減衰は単一の欠陥準位に起因するものではないと考えられる。