微細MOSFETのゲートリーク電流の低消発電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討

摘要

動作時の微細MOSFETのゲートリーク電流が低消費電力用2電源（V_H，V_L）方式に及ぼす影響について解析した．ゲートリーク電流によるシステムLSIの動作時の消費電力は従来の充放電による消費電力同様にV_L/V_H＝0.6～0.7で最小になり，消費電力の削減効果は充放電のときよりも更に15％程度大きくなる．