...
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲
南雲俊治; 犬飼貴士; 大澤淳真平本俊郎Toshiharu NagumoTakashi InukaiAtsumasa OhsawaToshiro Hiramoto;
基板バイアス効果; しきい電圧可変CMOS (VTCOMS); 完全空乏型SOI; 反転; 蓄積; SOI膜厚; g{sub}m-V{sub}g特性; キャリア分布; Body effect; Variable threshold voltage CMOS (VTCMOS); Fully-depleted SOI; Inversion; Accumulation; SOI thickness; g{sub}m-V{sub}g characteristics; Carrier distribution;
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。