金属ソース／ドレイン構造の低温ポリSi TFTs

摘要

スパッタ法によ。製膜したSi膜にBLDAを施し、400℃プロセスでTiによる金属S/D構造のn型TFTをガラス上に作製し、良好なn型のTFT特性が得られた。さらに、CVD Si膜をBLDAによ。結晶化させ、Auを用いたメタルソースドレイン構造のポリSi TFTをガラス上に試作し、素子特性を評価した。仕事関数のAuとポリSi膜との接触により、ホール（正孔）の疑似オーミック的な注入が可能となり、明確なI_d-V_d特性が得られた。200℃のアニールでは、SiとAuが反応を抑えられると推測されるが、実効的な電界効果正孔移動度値14 cm~2／Vs（V_d=-1 V）が得られた更に、製法を改善し、最適化することで、パネル上に高性能CMOSが期待される。