多段結合網を用いた小面積な多バンクメモリの性能評価

摘要

従来の多バンクメモリにおけるプロセッサとバンクメモリ間の結合は，非閉塞網のクロスバを用いるのが一般的であるが，高いアクセスバンド幅と小面積を両立できない．そこで，閉塞網を用いることで小面積な多バンクメモリを実現する手法が考えられる．しかし，閉塞網は非閉塞網と比較して，結合網の性能を表すアクセス通過率の値が低いという問題がある．この問題を解消する手法としてEBSF (Expand Banyan Switching Fabrics)と呼ばれる閉塞網が提案されている．ただし，既に提案されているEBSFは出力ポート数を入力ポート数に等しくするため，いくつかの出力ポートを括束している．本論文では，EBSFのステージ数を追加して出力ポート数の括束を行っていない．本稿ではEBSFのステージ数を追加した閉塞網を多バンクメモリに利用し，シミュレーションによる性能評価，および，回路規模評価を行った．本手法は従来の多バケクメモリと比較して，処理時間の増加を約10％以下に抑え，回路規模を1/10にできることがわかった．