4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討

摘要

Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化についてGaN/AlN多層膜を検討した。 ウエハーの反りの測定をしたところ、総膜厚の増加とともに反りは増加した。 しかし、GaNの膜厚が薄い場合は、反りは増加しなかった。 また、Hall効果測定の移動度の温度特性評価をしたところ、層数の増加とともに移動度が向上した。これは、多層膜とGaN層の界面における転位の減少によるものだと考えられる。 多層膜100ペアの場合はクラックがウエハー全面に発生してしまうため、70ペア程度が適当であると考えられる。