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AC hopping conductivity and DLTS studies on electron-irradiated boron-doped silicon

机译:AC hopping conductivity and DLTS studies on electron-irradiated boron-doped silicon

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摘要

AC hopping conductivity and DLTS measurements have been performed on boron-doped electron-irradiated silicon at

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  • 来源
    《semiconductor science and technology》 |1987年第1期|20-29|共页
  • 作者

    S K Bains; P C Banbury;

  • 作者单位

    J.J. Thomson Phys. Lab., Reading Univ., UK;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

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