4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み

摘要

SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が重要である。本研究では電子線照射を施して意図的に欠陥を導入した4H-SiCに対し、様々な温度で熱処理を加え、深い準位の評価を行った。その結果を、過去に報告のある点欠陥の熱処理温度に対する濃度推移と比較し、深い準位の欠陥構造の同定を試みた。