SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術

摘要

従来のインラインプロセスを用いて完成度の高いSOI/Bulkハイブリッド基板を形成する新しい手法を提案する。 ハイブリッド基板は、SOI基板領域とバルクSi基板領域を兼ね備えるため、DRAMセルなどのバルクデバイスを高性能SOIロジックに混載することが可能となる。 ハイブリッド基板構造は、SOI基板上のSOI/BOX 領域を部分的にエッチング除去し、露出したSi支持基板領域上に従来のSEGプロセスによるSiを成長させて実現した。 このハイブリッド基板上に180nmのCMOSプロセスと共に混載したDRAMの電気的特性は、バルク基板上と遜色無い特性を示した。 高生産性でSOIへのDRAM混載を実現できる本技術は、高性能SoCとして魅力的なソルーションである。