InGaZnO_xへテロチャネルによる薄膜トランジスタ

摘要

In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ（IGZO TFT）は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有するが、超高精細や駆動回路内蔵ディスプレイには更なる移動度向上が求められている。IGZO材料系ではIn組成比を増大することで移動度向上が図れることが知られているが、キャリア生成要因となる真性欠陥（酸素欠損）が増大する課題がある。今回我々はIn比率を増大させたIGZO TFTにおいて高移動度化と高信頼性化を両立するため、組成の異なるIGZOを積層したへテロチャネル構造を提案·検討した。ヘテロチャネル構造を用いることで高い移動度を維持しつつ、バイアスストレス信頼性を大幅に改善可能であることを示す。