Y{sub}2O{sub}3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定

摘要

有機錯体原料を減圧O{sub}2雰囲気中(～10{sup}(-2)Pa)で昇華·反応させて、Si(100)基板上にイットリウム酸化膜を堆積させて、界面の化学結合状態及びエネルギーバンドアライメントを分析した。 350℃膜堆積後、酸素雰囲気中500℃で熱処理すると、膜厚1.6 nmのY原子の混入のほとんどないSiO{sub}2膜がSi基板との界面に形成されることが分った。 Ols光電子エネルギー損失スペクトルのしきい値エネルギーよりY{sub}2O{sub}3膜のバンドギャップ(E{sub}g) は、0.9～3.8 nmの膜厚領域において6.00 eV一定と求められた。 また、500℃O{sub}2アニールにおいてもE{sub}gは変化しないことが分った。価電子帯スペクトルの波形分離結果からY{sub}2O{sub}3/Si(100)界面の価電子帯不連続量は3.30eVと決定できた。