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机译:酸素の化学ポテンシャルデザインに基づくMONOS型メモリーの原子レベルの設計指針
山口慶太; 大竹朗; 神谷克政重田育照白石賢二;
筑波大学大学院数理物質科学研究科;
大阪大学大学院基礎工学研究科;
MONOS; フラッシュメモリ; 第一原理計算; SiN;
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