薄膜太陽電池用Cu_2（Sn_(1-x)Ge_x）S_3光吸収層の作製

摘要

従来，Cu_2（Sn_(1-x)Ge_x）S_3（CTGS）光吸収層は，Moなどの裏面電極界面も硫化してしまい光吸収層との間に高抵抗層ができてしまう問題があった．本研究では制御性の良いH_2S＋Ar混合ガスを用いた硫化方法を検討し、CTGS成長過程におけるGe、Snなどの構成元素の再蒸発現象を抑制できる条件を調べた．プリカーサ自体の温度変化を調べたところ400℃を超えたところでプリカーサ自身の再蒸発が起こっていることが分かった．H_2Sガスを流して硫化処理を行ったところ400℃以下ではCTGS生成温度に達していないことが分かった．300℃から硫化をし570℃まで温度を上昇させることでmonoclinic結晶のCTGS薄膜が生成させることが確認できた．