CP{sub}2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果

摘要

bis-cyclopentadienylmagnesium (CP{sub}2Mg)をMg源としてMOVPE成長InNへのMgドーピングを初めて検討した。 その結果、CP{sub}2Mgの添加によってInNの結晶粒が小さくなるなどInNの結晶成長が影響を受けていることがわかった。 さらに、CP{sub}2Mg/TMI＝0.03～0.3の範囲でMgを添加したInN膜はすべてn型伝導を示した。キヤリア（電子）濃度がCP{sub}2Mg供給量の増大とともに増加し、PLピークエネルギーも高エネルギー側にシラトした。このような現象の原因を明らかにするために、成長膜のSIMS分析を行った。 その結果、Mg濃度はCP{sub}2Mg添加量に比例して増加しているが、同時に、膜中のC、Hの量がMg量にほぼ比例して増加していることが明らかとなった。 このことからInN中に取り込まれたC、Hがドナとして働いている可能性がある。 InNの成長温度を高くすることでMgドープInN膜のキャリア（電子）濃度が低下することがわかつた。