光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜Cu_xZn_ySの熱処理

摘要

Zn-richなCu_xZn_ySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCu_xZn_yS薄膜を作製し、熱処理による特性の変化を調べた。熱処理前の試料はアモルファスで、組成はCu：Zn：S：O=0.02：0.34：0.43：0.21、バンドギャップは約3.5eVであった。また、光電気化学測定によりp型の伝導性が確認された。硫黄雰囲気、400℃、1時間の熱処理後には、X線回折測定によりZnS相の形成が観察された。またバンドギャップに有意な変化はなく、伝導型は真性に近づいた。