GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性

摘要

全有機金属気相エピタキシヤル(OMVPE)法によって作製されたGaInP/GaAs界面は、AsとP原子の置換やInのメモリ効果により、良質なヘテロ界面を得ることは困難である。 77 Kにおけるフォトルミネッセンス(PL) 測定において、GaAsバンド端より長波長側にブロードな発光が観測される。 この発光はGaInP上に成長されたGaAs 界面に起因しており、成長温度を550℃以下にすることで消失した。 界面の成長温度を540℃としたGaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度は、界面を580℃で成長したレーザよりも低く、素子間のばらつきも小さいことが分かった。