シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2）

摘要

p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パルス照射により変調電子ビームを発生させることができる。光応答性を高めるためには、空乏層外での光電子を抑制する必要があるため、極微ゲート孔のボルケーノ構造シリコンエミッタアレイを作製し、光応答性を評価した。