ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価

摘要

窒化ガリウム（GaN）系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現するための要素プロセス技術の一つである誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング（ICP-RIE）を用いたドライエッチング技術に関して、形状制御と低ダメージ化を両立させるためのGaNトレンチ形成技術を開発した。また、その効果をトレンチ側壁に形成したショットキーバリアダイオードで確認した。