Si/SiO{sub}2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果

摘要

約2nmの厚さの単結晶SiとSiO{sub}2からなる共鳴トンネル構造に対して、Siポテンシャル井戸層の横方向サイズを縮小·ドット化した効果を低温での電流－電圧(I-V)測定により評価した。ドット化していない通常の層構造では、共鳴トンネル効果による負性微分抵抗が観測された。 これに対して、ドット化した構造では、低電圧領域で明瞭な階段状の電流変化が観測された。 階段状のI-V特性は、ドット化による容量減少による単一電子トンネル (クーロン階段）と考えられる。