［招待講演］ MOVPE再成長により形成した（111）B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs

摘要

(111)B面をチャネルとする底辺30nmの三角形状In_(0.53)Gao_(0.47)As-OI nMOSFETsをSi基板上に作製する事に成功した．三角形状チャネルは微細InGaAs-OI Fin構造にMOVPE成長を施す事で形成した．形成された（111）B面の移動度は，通常トライゲート素子比1.9倍，バルク（100）素子比1.6倍の値を示した．ノイズ特性やヒステリシス特性の結果から，この移動度増大は伝導帯中の界面準位低減とそれによるキャリアトラップの減少によりもたらされている事が示唆された．また，チャネル長300nmの素子において，930μA/μm（＠V_g＝2.0V；V_d＝0.5V）という高いオン電流が確認され，高性能·低消費電力CMOS応用へ向けた本素子の高い潜在能力が示された．