選択MOVPE法を用いた極性·非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製

摘要

選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性面上では膜厚はエッジ部にいくほど厚くなる傾向を示したが、半極性面上では面内で平坦な結晶が得られた。拡散方程式を用いて数値解析を行い、気相における実効的な拡散長に相当する値を各面において求めた結果、膜厚分布を気相場の影響として解釈することができた。一方、CL測定からみられるInGaN発光は半値幅が広いものの、位置による違いは見られなかった。これらより、立体構造の選択成長における膜厚·組成不均一は気相拡散の影響が最も支配的であるといえる。