［招待講演］基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察

摘要

本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する．Ge nMOSFETsにおいて高反転層キャリア密度（高Ns）領域における電子移動度の劣化の起源については未だ不明な点が多い．今回我々は基板表面を原子レベルで平坦化し，layer-by-layer酸化によるゲートスタック構造の形成を行うことにより，高Ns領域における電子移動度の大幅に改善されることを明らかにした．更に基板中の酸素に相関した中性不純物散乱の存在も示唆されることが分かった．