GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究

摘要

高性能なAlGaN/GaN HEMTの実現にはGaNバッファ層のリーク電流を十分に抑える必要がある。 我々は、UVランプ照射下で撮影したGaN単層膜のルミネセンス像から、ルミネセンス強度とGaNバッファ層リーク電流に相関があることを見出したので報告する。GaN層はMOCVD法を用いて、SiC基板上に成長した。 評価手法として365nm紫外ランプ励起によるGaN層からのイエロールミネセンスを撮影する手法によりエピウェハのルミネセンス像を得た。 またGaN層に電極を蒸着し、バッファ層リーク電流を測定した。 バッファ層リーク電流が大きいサンプルは強いルミネセンス強度を示していた結果から、GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度に相関があることがわかった。