Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition

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• 来源
  《Journal of Materials Science Letters》 |2004年第3期|189-191|共页
• 作者

  JiachangLiang; JialongZhao; YingGaoKaiDouShihuaHuangJiaqiYuHongkaiGao;

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• 作者单位

  Civil Aviation Institute of China;

  Chinese Academy of Sciences;

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 英语
• 中图分类
• 关键词