Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET

摘要

我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga_2O_3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイスにおいて，Siイオン注入ドーピングを低抵抗オーミックコンタクトの作製だけではなく，n型チャネル領域にも用いている．また，原子層エピタキシー法により堆積したAl_2O_3薄膜を，ゲート絶縁膜およびパッシべーション膜として利用している．作製したGa_2O_3 MOSFETは，その非常に単純な構造にもかかわらず，室温においてオフ耐圧415V，ドレイン電流オン／オフ比が10桁程度に代表される優れたデバイス特性を示した．また，250℃までの環境において安定したトランジスタ動作が得られることを証明した．