電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製

摘要

鉄錆の一種である鱗鉄鋼（γ-PeOOH）は無害で豊富に存在し、2.2～2.6eVのバンドギャップを持つn型半導体として知られている。先行研究において電気化学堆積（ECD）法を用い、γ-FeOOH薄膜半導体の作製に成功している。そこで、酸化鉄系材料同士による低コストな太陽電池を作製するためにp型の酸化鉄の作製を試みた。ECD 法を用いてγ-FeOOHにCuを添加することでCuがアクセプターとして作用することを図った。オージェ電子分光測定から薄膜にCuがほぼ均一に含まれていることを観測した。さらに、光電気化学測定の結果から伝導型がp型であることを確認した。また、薄膜を太陽電池のp型層に用いるために、熱処理を行い、特性が改善されたことを確認した。