4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価

摘要

SiCはその広いバンドギャップから高電力·高周波デバイス用素子として期待されている。 一方でas-grown 4H-SiCにはZ{sub}(1/2) centerなどの深い準位が含まれている。そこで本研究では4H-SiCオフ基板上にエピタキシャル成長させた4H-SiCエピ層に含まれる深い準位を評価した。DLTS法を用いて深い準位の熱励起による活性化エネルギーを、光励起容量過渡応答法(O-CTS)より光励起による光励起エネルギーを測定した。 その測定結果から、深い準位における基底状態と励起状態の断熱ポテンシャル曲線を示す配位座標を得た。